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Intel: Nand 3D
Le 24 / 11 / 2014

 

 

 

Lors d'une conférence dédiée aux investisseurs, Rob Crooke, vice-président de chez Intel, a évoqué la prochaine grosse évolution des puces de Flash NAND du fondeur. Comme Samsung et sa V-NAND, il est question d'un passage à la 3D avec l'empilement de 32 couches.

Cela fait maintenant plus d'un an que Samsung a lancé la production de masse de ses puces MLC de Flash V-NAND, ou Vertical NAND. Comme nous avons déjà eu l'occasion de l'évoquer à plusieurs reprises, il s'agit d'exploiter une structure en 3D en empilant plusieurs couches, ce qui permet d'augmenter la capacité des puces pour une superficie équivalente.

Le constructeur coréen a d'ailleurs récemment passé la seconde avec de la V-NAND de type TLC (trois bits par cellule) en plus de la MLC (deux bits par cellule). Les premiers SSD exploitant ce type de puces ne devraient d'ailleurs pas tarder sous la référence 850 EVO et nous aurons très rapidement l'occasion de revenir dessus.

Lors d'une conférence de presse dédiée aux investisseurs, Intel évoquait ses premières puces de 3D NAND. Comme son concurrent, le fondeur annonce un empilant de 32 couches, mais pour une capacité maximale de 256 Gb (32 Go) contre 128 Gb (16 Go) pour Samsung. Intel annonce qu'il devrait être ainsi en mesure de proposer « des capacités supérieures à un coût inférieur ». Le fondeur précise que  Rob Crooke, son vice-président en charge de la mémoire non volatile, proposait une démonstration avec le prototype fonctionnel d'un SSD avec de la 3D NAND.

Si aucun chiffre n'est donné en ce qui concerne les performances ou le prix des nouvelles puces de 3D NAND qui seront produites en partenariat avec Micron (via la joint-venture IMFT), le géant de Santa Clara évoque tout de même quelques pistes d'utilisations. Il est ainsi question d'une capacité de 1 To sur 2 mm de hauteur seulement et de l'arrivée de SSD de plus de 10 To.

 

Intel 3D NAND

 

 

Source: NextINPact